English: Top: EUV multilayer and absorber (purple)constituting mask pattern for imaging a line. Bottom: EUV radiation (red) reflected from the mask pattern is absorbed in the resist (amber) and substrate (brown), producing photoelectrons and secondary electrons (blue). These electrons increase the extent of chemical reactions in the resist, beyond that defined by the original light intensity pattern. As a result, a secondary electron pattern that is random in nature is superimposed on the optical image. The unwanted secondary electron exposure results in loss of resolution, observable line edge roughness and linewidth variation. Refs.: N. Felix et al., Proc. SPIE 9776, 97761O (2016); A. Saeki et al., Nanotech. 17, 1543 (2006); T. Kozawa et al., JVST B 25, 2295 (2007).
compartir – copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra
adaptar – fer-ne obres derivades
Amb les condicions següents:
reconeixement – Heu de donar la informació adequada sobre l'autor, proporcionar un enllaç a la llicència i indicar si s'han realitzat canvis. Podeu fer-ho amb qualsevol mitjà raonable, però de cap manera no suggereixi que l'autor us dóna suport o aprova l'ús que en feu.
compartir igual – Si modifiqueu, transformeu, o generareu amb el material, haureu de distribuir les vostres contribucions sota una llicència similar o una de compatible com l'original
S'autoritza la còpia, la distribució i la modificació d'aquest document sota els termes de la llicència de documentació lliure GNU versió 1.2 o qualsevol altra versió posterior que publiqui la Free Software Foundation; sense seccions invariants, ni textos de portada, ni textos de contraportada. S'inclou una còpia d'aquesta llicència en la secció titulada GNU Free Documentation License.http://www.gnu.org/copyleft/fdl.htmlGFDLGNU Free Documentation Licensetruetrue
Podeu seleccionar la llicència que vulgueu.
Registre original de càrregues
La pàgina de descripció original era aquí. Els noms d'usuari a continuació es refereixen a en.wikipedia.
2008-05-13 06:04 Guiding light 642×514× (27374 bytes) Top: EUV multilayer and absorber (purple)constituting mask pattern for imaging a line. Bottom: EUV radiation (red) reflected from the mask pattern is absorbed in the resist (amber) and substrate (brown), producing photoelectrons and secondary electrons (b
Llegendes
Afegeix una explicació d'una línia del que representa aquest fitxer
{{BotMoveToCommons|en.wikipedia|year={{subst:CURRENTYEAR}}|month={{subst:CURRENTMONTHNAME}}|day={{subst:CURRENTDAY}}}} {{Information |Description={{en|Top: EUV multilayer and absorber (purple)constituting mask pattern for imaging a line. Bottom: EUV radi