DescripcióHKMG - NMOS and PMOS Intel 45 nm node DE.svg
Deutsch: Schematische Querschnitte durch ein n-Kanal und ein p-Kanal-MOSFET in High-k+-Metal-Gate-Technik (Gate-Last- bzw. Replacement-Gate-Ansatz) wie ihn Intel 2007 mit den Penryn-Prozessoren in 45-nm-Technik einführte.
Die vereinfachten Darstellungen sind Veröffentlichungen von Transmissionselektronenmikroskopaufnahmen nachempfunden, wie sie beispielsweise in D. James An Ongoing History of Strain-Now Available with High-k! WeSRCH-Veröffentlichung (http://electronics.wesrch.com/pdfEL1SE1YJ9AKVU) zu finden sind.
Jo, el titular dels drets d'autor d'aquest treball, el public sota les següents llicències:
S'autoritza la còpia, la distribució i la modificació d'aquest document sota els termes de la llicència de documentació lliure GNU versió 1.2 o qualsevol altra versió posterior que publiqui la Free Software Foundation; sense seccions invariants, ni textos de portada, ni textos de contraportada. S'inclou una còpia d'aquesta llicència en la secció titulada GNU Free Documentation License.http://www.gnu.org/copyleft/fdl.htmlGFDLGNU Free Documentation Licensetruetrue
compartir – copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra
adaptar – fer-ne obres derivades
Amb les condicions següents:
reconeixement – Heu de donar la informació adequada sobre l'autor, proporcionar un enllaç a la llicència i indicar si s'han realitzat canvis. Podeu fer-ho amb qualsevol mitjà raonable, però de cap manera no suggereixi que l'autor us dóna suport o aprova l'ús que en feu.
compartir igual – Si modifiqueu, transformeu, o generareu amb el material, haureu de distribuir les vostres contribucions sota una llicència similar o una de compatible com l'original
{{Information |Description ={{de|1=Schematische Querschnitte durch ein n-Kanal und ein p-Kanal-MOSFET in High-k+-Metal-Gate-Technik wie ihn Intel 2007 mit den Penryn-Prozessoren in 45-nm-Technik einführte. Die vereinfachten Darstellungen sind Veröff