Fitxer:TyNiemeyerDolanTechnique.png
Aparença
Mida d'aquesta previsualització: 485 × 600 píxels. Altres resolucions: 194 × 240 píxels | 388 × 480 píxels | 621 × 768 píxels | 828 × 1.024 píxels | 1.704 × 2.108 píxels.
Fitxer original (1.704 × 2.108 píxels, mida del fitxer: 103 Ko, tipus MIME: image/png)
Historial del fitxer
Cliqueu una data/hora per veure el fitxer tal com era aleshores.
Data/hora | Miniatura | Dimensions | Usuari/a | Comentari | |
---|---|---|---|---|---|
actual | 17:34, 12 oct 2005 | 1.704 × 2.108 (103 Ko) | DrTorstenHenning | {{English}} Niemeyer-Dolan (angular evaporation) technique for the fabrication of single electron transistors. '''a''': Side view, cut along the current path. '''b''': Side view, cut perpendicular to the current path, and showing the resist mask and the l |
Ús del fitxer
La pàgina següent utilitza aquest fitxer:
Ús global del fitxer
Utilització d'aquest fitxer en altres wikis:
- Utilització a en.wikipedia.org
- Utilització a fa.wikipedia.org
- Utilització a ru.wikipedia.org