Dielèctric low-k
Dielèctric low-k (en anglès baixa k) fa referència a un material de constant dielèctrica o també permitivitat relativa (εr) de molt baix valor. Els materials dielèctrics amb baixa k s'empren en la fabricació de semiconductors on usualment remplacen el diòxid de silici (K=3,7-3,9) . Els materials dielèctrics low-k és una de les tecnologies que permeten de continuar la miniaturització dels components electrònics segons la llei de Moore.[1]
Necessitat
[modifica]En circuits digitals, per a separar els transistors s'empren materials dielèctrics (per defecte molt aïllants) que impliquen una capacitat paràsita entre els components. Degut a la gran miniaturització, els transistors estan cada cop més units, la qual cosa fa augmentar la capacitat paràsita. Aquestes capasitats paràsites produeixen problemes d'interferències anomenades diafonia (crosstalk). Llavors, per a solventar el problema cal utilitzar materials amb baixa k : [2]
si k baixa llavors la capacitat també baixarà.
Materials low-k
[modifica]- Derivats d'òxid: Diòxid de silici dopat amb flúor, Diòxid de silici dopat amb carboni, Diòxid de silici dopat amb hidrogen [3]
- Derivats orgànics: Poliimides, Polímers, Tefló
| Material | Constant
Dielèctrica |
|---|---|
| Diòxid de silici dopat amb flúor | 3,3-3,9 |
| Diòxid de silici dopat amb carboni | 2,8-3,5 |
| Diòxid de silici dopat amb hidrogen | 2,5-3,3 |
| Poliimides | 3-4 |
| Polímers | 2,6-3,2 |
| Tefló | 1,9-2,1 |
Vegeu també
[modifica]- Tecnologia Dielèctric high-k
- Tecnologia de Silici sobre aïllant (SOI)
- CMOS
- Permitivitat dels materials, Permitivitat relativa, Permitivitat del buit
Referències
[modifica]- ↑ «Low- κ Dielectrics» (en anglès). web.stanford.edu. [Consulta: 17 març 2017].[Enllaç no actiu]
- ↑ «Low-k materials» (en anglès). www.slideshare.net. [Consulta: 17 març 2017].
- ↑ «Next generation of low-k materials» (en anglès). courses.ee.psu.edu. [Consulta: 17 març 2017].