Vés al contingut

Herbert Kroemer

De la Viquipèdia, l'enciclopèdia lliure
Plantilla:Infotaula personaHerbert Kroemer
Imatge
(2008) Modifica el valor a Wikidata
Nom original(de) Herbert Krömer Modifica el valor a Wikidata
Biografia
Naixement25 agost 1928 Modifica el valor a Wikidata
Weimar (Alemanya) Modifica el valor a Wikidata
Mort8 març 2024 Modifica el valor a Wikidata (95 anys)
ReligióAteisme Modifica el valor a Wikidata
FormacióUniversitat de Göttingen
Universitat de Jena Modifica el valor a Wikidata
Director de tesiFritz Sauter i Richard Becker Modifica el valor a Wikidata
Activitat
Camp de treballElectrotècnia, física, física teòrica, física de l'estat sòlid i semiconductor Modifica el valor a Wikidata
Ocupaciófísic, professor d'universitat Modifica el valor a Wikidata
OcupadorUniversitat de Califòrnia a Santa Barbara
Universitat de Colorado a Boulder Modifica el valor a Wikidata
Membre de
Acadèmia Nacional de Ciències dels Estats Units (associat estranger de l'Acadèmia Nacional de Ciències) (2003–)
Acadèmia Nacional d'Enginyeria (1997–)
Acadèmia de Ciències Útils
American Physical Society Modifica el valor a Wikidata
Influències
Premis

Herbert Kroemer (alemany: Herbert Krömer) (Weimar, 25 d'agost de 1928 - 8 de març de 2024)[1][2][3] va ser un físic i professor universitari estatunidenc d'origen alemany, guardonat amb el Premi Nobel de Física l'any 2000.[4]

Va néixer el 25 d'agost de 1928 a la ciutat alemanya de Weimar, situada a l'estat alemany de Turíngia. Va estudiar física a la Universitat de Göttingen, on es doctorà l'any 1952. Després de treballar en diversos laboratoris de recerca científica a Alemanya, es traslladà als Estats Units, on fou nomenat professor d'enginyeria electrònica a la Universitat de Colorado l'any 1968, càrrec que ocupà fins al 1976. Va ser professor d'enginyeria elèctrica i computació a la Universitat de Califòrnia de Santa Bàrbara.[5]

La seva recerca científica se centrà en el programa d'investigació en l'emergent tecnologia del semiconductor. Kroemer, membre de l'Acadèmia Nacional d'Enginyeria, preferí treballar sempre en els problemes que estan davant de la tecnologia de corrent. Durant la dècada del 1950, fou el primer a precisar els avantatges de la incorporació d'heteroencaixos en els semiconductors, desenvolupant l'any 1963 el concepte del làser de doble heteroestructura.[5]

L'any 2000 fou guardonat, juntament amb el físic rus Zhores Ivanovich Alferov, amb el Premi Nobel de Física pel desenvolupament d'heteroestructures per a semiconductors d'alta velocitat i optoelectrònica. El guardó fou concedit ex aequo amb l'enginyer Jack Kilby per la invenció del circuit integrat.[6]

Referències

[modifica]
  1. ↑ «Nobel Laureate Herb Kroemer, 1928–2024». UC Santa Barbara Engineering, 12-03-2024. [Consulta: 13 març 2024].
  2. ↑ «Sad News – Professor Emeritus Herbert Kroemer». UC Santa Barbara Office of the Chancellor, 12-03-2024. [Consulta: 13 març 2024].
  3. ↑ «Nachruf: Herbert Kroemer» (en alemany). Der Spiegel, 15-03-2024. ISSN: 2195-1349.
  4. ↑ «Herbert Kroemer». GEC. [Consulta: 26 març 2023].
  5. ↑ 5,0 5,1 «The Nobel Prize in Physics 2000» (en anglès americà). The Nobel Prize, 2000. [Consulta: 26 març 2023].
  6. ↑ «Premiados los tres impulsores de la tecnología de la información» (en castellà). El Mundo, 10-10-2000. Arxivat de l'original el 2010-10-23. [Consulta: 26 març 2023].

Enllaços externs

[modifica]
Obtingut de «https://ca.wikipedia.org/w/index.php?title=Herbert_Kroemer&oldid=33439742»