Hiroshi Amano
| |||
| Nom original | (ja) 天野浩  | ||
|---|---|---|---|
| Biografia | |||
| Naixement | 11 setembre 1960 (64 anys) Hamamatsu (Japó) | ||
| Formació | Universitat de Nagoya (–1988) Shizuoka Prefectural Hamamatsu Nishi High School (en)  Hamamatsu City Shijimizuka Junior High School (en) | ||
| Director de tesi | Isamu Akasaki | ||
| Activitat | |||
| Camp de treball | Físic | ||
| Ocupació | físic, professor d'universitat, enginyer | ||
| Ocupador | Universitat de Nagoya, catedràtic (2010–2015) Universitat de Meijo (2002–2010) Universitat de Meijo (1992–1998) Universitat de Nagoya, professor agregat (1988–1992) | ||
| Professors | Isamu Akasaki | ||
| Premis | |||
| |||
Hiroshi Amano (天野 浩, Amano Hiroshi, 11 de setembre de 1960) és un físic, enginyer i inventor japonès especialitzat en el camp de la tecnologia de semiconductors. Per la seva tasca, va ser guardonat amb el Premi Nobel de Física 2014 juntament amb Isamu Akasaki i Shuji Nakamura per "la invenció de díodes eficaços blaus que emeten llum que ha permès estalviar fonts de llum blanques brillants i estalvi d'energia".[1]
Educació
[modifica]Amano va néixer a Hamamatsu, Japó, l'11 de setembre de 1960. Va obtenir el títol de llicenciat, màster i doctor en enginyeria el 1983, 1985 i 1989, respectivament, a la Universitat de Nagoya.
A l'escola elemental, jugava a futbol com a porter i a softball com a catcher. També era un apassionat de la ràdioafició i, tot i que no li agradava estudiar, era bo en matemàtiques. Quan va entrar a l'escola secundària, va començar a estudiar seriosament i es va convertir en un bom alumne estudiant a les nits.
Trajectòria
[modifica]Del 1988 al 1992, va ser investigador associat a la Universitat de Nagoya. El 1992 es va traslladar a la universitat Meijo, on va ser professor ajudant, associat i des del 2002 titular. El 2010 es va traslladar a l'Escola Superior d'Enginyeria de la Universitat de Nagoya com a professor.
Es va incorporar al grup del professor Isamu Akasaki el 1982 com a estudiant de pregrau. Des d'aleshores, ha estat investigant sobre el creixement, la caracterització i les aplicacions de dispositius dels semiconductors de nitrurs del grup III, coneguts com a materials utilitzats en díodes blaus que emeten llum. El 1985 va desenvolupar un sistema a baixa temperatura per al creixement de pel·lícules de semiconductors de nitrur del grup III en un substrat de safir, el que va provocar la realització de diodes emissors de llum i diodes làser de semiconductor basats en el grup III-nitrur. El 1989, va aconseguir fer créixer un diode emissor de llum UV / blau tipus GaN i fabricar un tipus d'unió del GaN basat amb UV/llum blava amb emissions de diode per primera vegada al món.
El seu laboratori va rebre el nom de "castell sense nit" perquè sempre hi havia gent treballant.[2] Segons els seus estudiants al laboratori, té una personalitat temperada optimista i mai no s'enfada.[3][4]
Referències
[modifica]- ↑ «The 2014 Nobel Prize in Physics - Press Release». Nobelprize.org. Nobel Media AB 2014. [Consulta: 7 octubre 2014].
- ↑ «快挙の師弟、笑顔で握手＝「今も緊張」天野さん―赤崎さん、不夜城紹介・ノーベル賞 ｜ ガジェット通信». Arxivat de l'original el 15 octubre 2014.
- ↑ «「天野浩さんの人柄を仲間が紹介」». Arxivat de l'original el 2014-10-11. [Consulta: 11 octubre 2019].
- ↑ INC, SANKEI DIGITAL. «ノーベル物理学賞受賞の天野浩教授 研究に没頭「とにかく熱心」 静岡». 産経ニュース.