Semiconductors de banda estreta
.svg)
Els semiconductors de banda estreta són materials semiconductors amb un interval de banda que és comparativament petit en comparació amb el del silici, és a dir, inferior a 1,11 eV a temperatura ambient. S'utilitzen com a detectors d'infrarojos o termoelèctrics.[1][2]
Llista de semiconductors de banda estreta:
| Nom | Fórmula química | Grups | Banda prohibida (300 K) |
|---|---|---|---|
| Tel·lurur de cadmi mercuri | Hg1−xCdxTe | II-VI | 0 to 1.5 eV |
| Tel·lurur de zinc mercuri | Hg1−xZnxTe | II-VI | 0.15 to 2.25 eV |
| Selenur de plom | PbSe | IV-VI | 0.27 eV |
| Sulfur de plom(II) | PbS | IV-VI | 0.37 eV |
| Tel·lurur de plom | PbTe | IV-VI | 0.32 eV |
| Arseniur d'indi | InAs | III-V | 0.354 eV |
| Antimoniur d'indi | InSb | III-V | 0.17 eV |
| Antimoniur de gal·li | GaSb | III-V | 0.67 eV |
| Arseniur de cadmi | Cd₃As₂ | II-V | 0.5 to 0.6 eV |
| Tel·lurur de bismut | Bi₂Te₃ | 0.21 eV | |
| Tel·lurur d'estany | SnTe | IV-VI | 0.18 eV |
| Selenur d'estany | SnSe | IV-VI | 0.9 eV |
| Selenur d'argent(I) | Ag₂Se | 0.07 eV | |
| Silicat de magnesi | Mg₂Si | II-IV | 0.79 eV[3] |
Referències
[modifica]- ↑ Rogalski, Antoni; Razeghi, Manijeh «Narrow gap semiconductor photodiodes». Narrow gap semiconductor photodiodes. SPIE, 3287, 01-12-1998, pàg. 2–13. DOI: 10.1117/12.304467.
- ↑ «Narrow Band Gap Semiconductor - an overview | ScienceDirect Topics» (en anglès). https://www.sciencedirect.com.+[Consulta: 24 setembre 2022].
- ↑ Nelson, James T. «Chicago Section: 1. Electrical and optical properties of MgPSn and Mg₂Si». American Journal of Physics. American Association of Physics Teachers (AAPT), 23, 6, 1955, pàg. 390–390. DOI: 10.1119/1.1934018. ISSN: 0002-9505.