Vés al contingut

180 nanòmetres

De la Viquipèdia, l'enciclopèdia lliure
Fig.1 Exemple de tecnologia de 180 nm : Intel Coppermine
Tecnologia Any
10 um 1971
6 um 1974
3 um 1977
1,5 um 1982
1 um 1985
800 nm 1898
600 nm 1994
350 nm 1995
250 nm 1997
180 nm 1999
130 nm 2001
90 nm 2004
65 nm 2006
45 nm 2008
32 nm 2010
22 nm 2012
14 nm 2014
10 nm 2017
7 nm 2018
5 nm 2020

180 nanòmetres (180 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 180 nm. És una millora de la tecnologia de 250 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 331 àtoms de llargada.[1][2]

Tecnologia emprada

[modifica]

Aquesta tecnologia va ser la primera on la longitud de porta dels transistors (180 nm) era més curta que la llum utilitzada en la litografia (193 nm).

Tecnologia de litografia millorada.

Processadors

[modifica]
Fabricant Data CPU Notes
Intel 1999 Coppermine
AMD 2000 Athlon Thunderbird
Intel 2002 Celeron
Motorola 2002 PowerPC 7445, 7455

[3]

Fabricant Intel Fujitsu TSMC Motorola IBM NEC Samsung TI TI AMD
Nom del procés P858 CS-80 HiPerMOS 6 CMOS-8S3 C07a GS30
Primera producció 1999 2000 2000 2000 1998 2000 2001 2000 1999
Capes de Metal 7 6 6 7 7 6 5
  Value 250 nm Δ Value 250 nm Δ Value 250 nm Δ Value 220 nm Δ Value 250 nm Δ Value 250 nm Δ Value 250 nm Δ Value 250 nm Δ Value 250 nm Δ Value 250 nm Δ
Pas de contacte de porta 480 nm 0.96x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x
Pas de connexió 500 nm 0.82x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x
Cel·lula 1 bit de RAM 5.59 µm² 0.54x 4.18 µm²  ?x 4.65 µm² 0.62x  ? µm²  ?x  ? µm²  ?x  ? µm²  ?x  ? µm²  ?x  ? µm²  ?x  ? µm²  ?x  ? µm²  ?x

Vegeu també

[modifica]

Referències

[modifica]
  1. «0.18 µm CMOS Standard Cell | ON Semiconductor» (en anglès). www.onsemi.com. [Consulta: 19 març 2017].
  2. «Foundry technologies 180-nm CMOS, RF CMOS and SiGe BiCMOS» (en anglès). IBM. [Consulta: 19 març 2017].
  3. «180 nm lithography process - WikiChip» (en anglès). en.wikichip.org. [Consulta: 19 març 2017].