22 nanòmetres

Fig.1 Exemple de tecnologia de 22 nm : Intel core i7

Tecnologia	Any
10 um	1971
6 um	1974
3 um	1977
1,5 um	1982
1 um	1985
800 nm	1989
600 nm	1994
350 nm	1995
250 nm	1997
180 nm	1999
130 nm	2001
90 nm	2004
65 nm	2006
45 nm	2008
32 nm	2010
22 nm	2012
14 nm	2014
10 nm	2017
7 nm	2018
5 nm	2020

22 nanòmetres (22 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 22 nm. És una millora de la tecnologia de 32 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de $22\simeq {\frac {32}{\sqrt {2}}}$. Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 40 àtoms de llargada.

Tecnologia emprada

• Tecnologia de materials amb Dielèctric high-k
• Tecnologia de materials amb Dielèctric low-k
• Tecnologia de SOI (silici sobre aïllant)
• Tecnologia de litografia millorada.
• Tecnologia de transistor FinFET

Processadors

Fabricant	Data	CPU	Notes
Toshiba	2010	Memòria NAND
Hynix	2010	Memòria Flaix
Intel	2012	Intel Core i7, i5

Fig.2 Transistor FinFET

Fabricant	Intel		Common Platform
Nom del procés	P1270 (CPU) / P1271 (SoC)
Tipus	FinFET		Planar
Primera producció	2011		2012
Oblia	300 mm
	Valor	32 nm Δ	Valor	32 nm Δ
Pas de Fin	60 nm	N/A
Amplada de Fin	8 nm
Alçada de Fin	34 nm
Pas de contacte de porta	90 nm	0.80x	100 nm	0.79x
Pas de connexió	80 nm	0.71x	80 nm	?x
Cel·lula 1 bit de RAM (HD)	0.1080 µm²	0.63x	0.1 µm²	0.67x
Cel·lula 1 bit de RAM (LP)	0.092 µm²	?x
Cel·lula 1 bit de DRAM			0.026 µm²	0.67x

Vegeu també

• Circuit integrat
• Tecnologia SOI
• Tecnologia Dielèctric high-k
• Tecnologia Dielèctric low-k
• Tecnologia litogràfica