Vés al contingut

Jorès Ivànovitx Alfiórov

De la Viquipèdia, l'enciclopèdia lliure
Plantilla:Infotaula personaJorès Ivànovitx Alfiórov
Imatge
(2011) Modifica el valor a Wikidata
Nom original(ru) Жоре́с Ива́нович Алфёров
(be) Жарэ́с Іва́навіч Алфёраў Modifica el valor a Wikidata
Biografia
Naixement15 març 1930 Modifica el valor a Wikidata
Vítsiebsk (Belarús) Modifica el valor a Wikidata
Mort1r març 2019 Modifica el valor a Wikidata (88 anys)
Sant Petersburg (Rússia) Modifica el valor a Wikidata
Causa de mortcrisi hipertensiva Modifica el valor a Wikidata
SepulturaCementiri de Komarovo Modifica el valor a Wikidata
Diputat de la Duma Estatal
1995 – 2019 Modifica el valor a Wikidata
Dades personals
ReligióAteisme Modifica el valor a Wikidata
FormacióUniversitat d'Electrotècnica de Sant Petersburg (–1952) Modifica el valor a Wikidata
Activitat
Camp de treballFísica de semiconductors, física, semiconductor i política Modifica el valor a Wikidata
Lloc de treball Moscou Modifica el valor a Wikidata
Ocupaciófísic, inventor, polític, diputat de la Duma Estatal Modifica el valor a Wikidata
OcupadorAcadèmia de Ciències de Rússia
Universitat Acadèmica de Sant Petersburg Modifica el valor a Wikidata
PartitPartit Comunista de la Unió Soviètica Modifica el valor a Wikidata
Membre de
Obra
Localització dels arxius
Família
CònjugeTamara Darskaya (1967–) Modifica el valor a Wikidata
Premis


Find a Grave: 197225538 Modifica el valor a Wikidata

Jorès Ivànovitx Alfiórov (rus: Жоре́с Ива́нович Алфёров) (Vítsiebsk, 15 de març de 1930 - Sant Petersburg, 1 de març de 2019) fou un físic rus guardonat amb el Premi Nobel de Física de l'any 2000.

Biografia

[modifica]

Va néixer el 15 de març de 1930 a la ciutat de Vítsiebsk, avui dia situada a Belarús que en aquells moments formava part de la Unió de Repúbliques Socialistes Soviètiques. Va estudiar electrònica a l'Institut electrotècnic de Leningrad, on es llicencià el 1952. Des de 1953 treballà a l'Institut fisicotècnic de Ioffe, inscrit a l'Acadèmia Soviètica de les Ciències, posteriorment anomenada Acadèmia russa de les Ciències. En aquest institut aconseguí el doctorat en física i matemàtiques l'any 1970.

El 1972 fou escollit membre de l'Acadèmia russa de les Ciències, del qual n'és vicepresident des de 1979. Des de 1995 fou membre de la Duma en representació del Partit Comunista de la Federació Russa.

Recerca científica

[modifica]

Des de 1962 va estar treballant en l'àrea de heteroestructures de semiconductors. Les seves contribucions a la física i a la tecnologia de semiconductors han produït avanços en els camps dels làsers, cèl·lules fotovoltaiques, Díode LED i processos epitaxials de fabricació de microcomponents.

L'any 2000 fou guardonat, juntament amb Herbert Kroemer, amb la meitat del Premi Nobel de Física pel desenvolupament d'heteroestructures per a semiconductors d'alta velocitat i optoelectrònica. L'altra meitat del premi fou atorgada a l'enginyer nord-americà Jack Kilby per la invenció del circuit integrat.

Enllaços externs

[modifica]